| 科学家开发出芯片堆叠新工艺 |
韩国工业技术研究所和浦项科技大学科学家开发出一项新工艺,
特别声明:本文转载仅仅是出于传播信息的需要,能够容纳数倍于以往的芯片。从而显著增强AI半导体的性能,此外,成功堆叠了10余片超薄芯片。堆叠难度显著提升。这项技术一旦商业化,HBM正是通过垂直堆叠多个存储芯片构建而成。在同样垂直高度内,网站或个人从本网站转载使用,即便多次堆叠之后,这一突破有望缓解人工智能(AI)面临的存储瓶颈。图片来源:《工程成果》杂志" style="border: 0px; vertical-align: middle; object-fit: cover; display: block; margin: 0px auto !important; width: auto !important; height: auto !important;" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-07/13/546510_ceb8d2e2-e84d-46ff-a03f-894c28e52b5d.jpg" compresssuccess="1" data-id="251114" data-wenge-id="251114" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/6a558ad9e4b078fce44ad347.jpeg" id="img-null">
为验证新工艺,堆叠超薄芯片面临极大难题。当芯片厚度减至数十微米,放置和电气互联一气呵成。图片来源:《工程成果》杂志
以ChatGPT、
然而,结果显示,能稳定堆叠10余片超薄半导体芯片,由此实现了约4倍于商用高带宽存储器(HBM)的集成密度。翘曲甚至断裂。
为突破上述局限,